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电子元器件详细资料 » IC[28646] » SI1035X-T1-E3
型号:SI1035X-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:SOT-563,SOT-666描述:MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C180mA,145mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C5 欧姆 @ 200mA,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222400mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs0.75nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SC-89-6
包装剪切带 (CT)

SI1035X-T1-E3相关型号

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